埋入式电容器材料
铜箔-电介质-铜箔结构
-铜箔厚度：5,12,18,35μm
-介电厚度：3-40μm
低频电容器（X7R）
-单面蚀刻
-电容：10nF/in^2，20nF/in ^2，30nF/in-^2
-双面蚀刻
-电容：2.5nF/in^2，4nF/in ^2
高频电容器（COG）
-Df=0.005@20GHz
-单面蚀刻
-电容：4nF/in^2，7nF/in ^2
埋入式电容器材料
铜箔-电介质-铜箔结构
-铜箔厚度：5,12,18,35μm
-介电厚度：3-40μm
低频电容器（X7R）
-单面蚀刻
-电容：10nF/in^2，20nF/in ^2，30nF/in-^2
-双面蚀刻
-电容：2.5nF/in^2，4nF/in ^2
高频电容器（COG）
-Df=0.005@20GHz
-单面蚀刻
-电容：4nF/in^2，7nF/in ^2
